半導体デバイス

光デバイス

≪発光ダイオード (Light Emitting Diode；LED)≫

　 pn接合の順バイアスを加えると発光する性質を利用する素子。

≪フォトダイオード≫

　 pn接合の逆バイアスされた接合部に光当たると、逆方向に電流が流れやすくなることを利用。
光センサとして利用。

≪太陽電池≫

　 pn接合にバイアス電圧をかけずに、光を当て起電力として取り出す。
光センサとして利用。

≪フォトトランジスタ≫

　 npnトランジスタのベース部分に光を当て、その光照射量でコレクタ電流を制御する。
光センサとして利用。

≪光導電セル≫

　 半導体に光を照射させてキャリアを発生させ、導電率を高くなることを利用する。
可視光用としてはCdS(硫化カドミウム)、赤外サーモグラフィ用としては、HgCdTが用いられる。

≪光電子倍増管≫

　 真空管の一種で、光照射により真空中に飛び出した電子(光電子)が電極に衝突するたびに新たな電子(二次電子)をたたき出し、最終的に10⁵倍程度の電子が出力される。非常に感度の高い光センサ。

≪液晶≫

　 固体と液体の中間の性質を持ち、加える電圧を変える事で、光の透過率を変えることができる素子で液晶自体は、発光しない。
表示装置に応用される。

≪光ファイバ≫

　 クラッド（皮の部分）とコア（芯の部分）とで屈折率を変えた光伝導素子。
コアの部分の屈折率が、クラッドの屈折率よりも大きい。

その他の半導体素子

≪ホール素子≫

　 電流が流れている半導体に磁界を加えると起電力が発生する。磁気センサとして利用される。

≪サーミスタ≫

　 温度により抵抗値が大きく変わる半導体素子。温度センサに利用される。

≪バリスタ≫

　 加える電圧によって抵抗値が大きく変わる半導体素子。

その他の回路素子

≪ストレインゲージ≫

　 物体の変形を抵抗値の変化として測定する素子。変位センサや力センサとして用いられる。

≪熱電対≫

　 ２種類の金属を接合により、温度差に応じた起電力を発生する素子。温度センサとして利用される。

≪圧電素子≫

　 圧力を加えると表面に電圧が発生する素子。

≪差動トランス≫

　 トランス内の鉄心の位置により、出力端子に誘起される電圧が変化することを利用して、鉄心の変位を測定する素子。位置センサとして利用される。