概要。
固体撮像素子にはCCDとCMOSセンサーがあるが、最近はCCDからCMOSセンサーに移行しつつある。 その理由は、CCDはセル（画素）の微細化が限界に近づき、高画素化に対応できなくなってきている。 固体撮像素子を積層化することは1979年頃から研究されていたが、CCDの性能が向上し、その後は積 層型の必要が無くなっていた。
しかし、この積層型はCCDをさらに微細化ができ、高画素化に対応できる。現状のCCDのセル内の配置 はPD（フォトダイオード）、垂直転送CCD、読み出しゲートとCS（チャンネルストッパー）で構成され ているが、セルの微細化とともにPCの面積も縮小され、感度が減少して、性能限界に近付いていた。 積層型ではこのCCDの表面に光電変換膜と透明電極（ITO）とを形成して、PDをこの光電変換膜とのコ ンタクトにするものである。光電変換膜にはCdSeやZnSe等を真空蒸着で形成する、選択により非線形 の光電変換特性も可能である。

現在の状況。　積層膜による特許は多数出願されましたが、多くは特許切れです。
80年代にCCDの性能向上のため研究されていましたが、やっと活躍の時期が来ました。

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