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Memory I/O電圧アップ


基盤を眺めていたらどうも怪しいIC（TL431）を発見、Infoseekで検索してみれば正に2.5Vの基準電圧発生器でした。

さてどうしたもんかと、またまた基盤を眺めていたらICの近所の空きパターンがどうも気になり、テスターで調べていくとどうも最初から調整用の分圧抵抗が付けられるように最初から設計してあるようでそれを利用して２.５Vの基準電圧を上げることにしました。



さて実際のチップ抵抗のはんだ付けですが、その前に部品を調達しなければいけません。
家にチップ抵抗なんぞごろごろしてるわい。と言う人は良いですがあんまりそういう人もいないでしょうから入手方法をひとつお教えしましょう。
私もほとんどそうですが、ジャンク基盤から部品を取ります。マザーボードなんかはかなりの部品が取れます。




ただ、チップ部品の印刷してある文字は小さく、ほとんど肉眼では確認できないため抵抗などは手当たり次第に外してテスターで測ります。
もし新品が入手できるロケーションにお住まいなら、新品を購入しても良いでしょう。







必要な抵抗値は100〜1000Ω程度の奴と1K〜10KΩの二つです。
分圧抵抗ですから、重要なのは二つの抵抗比です。
5％アップなら1：20、10％アップなら1：10の抵抗比にします。
私はたまたま取れた奴の中から適当なのを探して２.３kΩと100Ωを使用しました。
0Ω抵抗を100Ωに置換、空きパターンに２.３kΩをはんだ付けします。

これですと（2300+100）/2300で約1.0435倍　2.608Vになるはずです。で実測でも2.6Vになりました。

ただ、I/O電圧を上げて効果があるのかどうか良くわかんないです。
I/O電圧を上げてみたもののやっぱり222MHｚ駆動ではごみが出ます。
DDRメモリの動作電圧の方を上げるほうが重要のようです。


当然ですが、失敗しても自分の責任です。わからない人は、しないでね。

Mach64以来のATIファンHIROｊｐ