概要。
CMOSセンサーは構造上、ほとんどがローリングシャッターで動作する。しかし、この方式は順次ラ インごとに蓄積動作と読み出し動作をする方式なので、動いている被写体は走査位置で撮像位置が 変わり画像が歪んで出力される欠点があった。
本考案はCMOSセンサーで容易にグローバルシャッターを構成可能とするものである。 通常のCMOSセンサーの画素構造はフォトダイオード、読み出しTr、リセットTr、電荷電圧変換C、増 幅Tr、ラインアクセスTrで構成される。これに対して本考案では前記のフォトダイオード部に同時蓄 積Cと同時読み出しゲートを構成し、これにコンタクトを介して光電変換用の積層膜を配するものであ る。ここで、前記同時蓄積Cと同時読み出しゲートはCCDの読み出しゲート構造と同じ共通ゲート構造 にすれば容易に構成される。このように、CCDの構成の一部を採用した積層型のCMOSセンサーを構成 することによりグローバルシャッターをCMOSセンサーで容易に可能とする。

現在の状況。　積層膜による特許は多数出願されましたが、多くは特許切れです。
CMOSセンサーのローリングシャッターは残された大きな課題です。

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