メモリに関するお話

んと、自分でもよくわかってなくて、その度に調べていたメモリ関連のあれやこれやをまとめてみました。
「こんな事も書いてくれ」とか「ここ間違ってるぞ」とか、要望、お叱りなどあればお気軽にメール下さい。

 規格名 RAM/転送速度(MHz)  バスクロック  備考 
 PC66 SDRAM  66MHz   
 PC100 SDRAM  100MHz   
 PC133 SDRAM  133MHz   
 PC600 RDRAM(16bit)  300MHz   
 PC700 RDRAM(16bit)  356MHz   
 PC800 RDRAM(16bit)  400MHz   
 PC1066(RIMM 2100) RDRAM(16bit)  533MHz   
 PC1200(RIMM 2400) RDRAM(16bit)  600MHz   
 RIMM 3200 RDRAM(32bit)  400MHz   
 RIMM 4200 RDRAM(32bit)  533MHz   
 RIMM 4800 RDRAM(32bit)  600MHz   
 RIMM 6400 RDRAM(32bit)  800MHz   
 PC1600 DDR200  100MHz   
 PC2100 DDR266  133MHz   
 PC2100 DDR266A  133MHz  CL=2 
 PC2100 DDR266B  133MHz  CL=2.5 
 PC2700 DDR333  167MHz   
 PC3200 DDR400  200MHz   
 PC2-3200 DDR2-400  100MHz   
 PC2-4200 DDR2-533  133MHz   
 PC2-5300 DDR2-667  166MHz   
 PC2-5400 DDR2-675  169MHz   
 PC2-6000 DDR2-750  188MHz   
 PC2-6400 DDR2-800  200MHz  
 PC2-7200 DDR2-900  225MHz   
 PC2-8000 DDR2-1000  250MHz   
 PC2-8500 DDR2-1066  266MHz   
 PC2-9200 DDR2-1150  288MHz   
 PC2-9600 DDR2-1200  300MHz   
 PC3-6400 DDR3-800  100MHz   
 PC3-8500 DDR3-1066  133MHz   
 PC3-10600 DDR3-1333  166MHz  
 PC3-12800 DDR3-1600  200MHz  
 PC3-14400 DDR3-1800  225MHz   
 PC3-16000 DDR3-2000  250MHz   
 PC3-17066 DDR3-2133  266MHz   

CL:Column Address Strobe Latency (アドレス列ストローブ遅延)
アドレスが行-列の順で設定されてからデータが出力されるまでの遅延時間。

RAM(Random Access Memory:アドレスに依存せず等価にデータにアクセスできるメモリ)の種類

SRAM:Static RAM
静的メモリ。電源を与えておけばメモリ内容を保持し続ける。

DRAM:Dynamic RAM
一定期間以内ににリフレッシュ信号と呼ばれる信号を与え続けなければ内容が失われるRAM。

EDO DRAM:Enhanced Data Out DRAM
データの読み出しタイミングを改善して高速化したDRAM。

SDRAM:Synchronous DRAM
同期転送を行い高速化を計ったDRAM

RDRAM:Rambus DRAM、あるいはDirect Rambus DRAM
Rambus社が提唱した規格。DDR動作と、バス幅の大きさでFSBクロックの4倍のデータレートを得られた。

DDR SDRAM:Double Data Rate SDRAM
同期転送クロックの立ち上がりと立ち下がりの双方で転送を行う事で倍速化したSDRAM。

DDR2 SDRAM
DDRメモリに対して倍のデータを一度に転送できるメモリ。らしい。よく理解できてません。読んだ解説が詳しくなかったので(^^;)。

DDR3 SDRAM
DDR2メモリに対して倍のデータを一度に転送できるメモリ。

SIMM:Single Inline Memory Module
メモリーモジュールの一種。単一の信号列が両面に並んでいる。

DIMM:Dual Inline Memory Module
メモリーモジュールの一種。表裏別に(二つの)信号列が出ている。

Registered
バッファ付きメモリ。速度的には不利だが、安定したタイミングでデータにアクセスできる。対応したマザーボードが必要。

以下はhttp://www.algo.jp/shop/docs/report/Memore-info.htmlからのコピペ。ちゃんとわかってませんでした。
こんなページ自分で作らなくてもあったんだなぁ、と思ったり。ここに興味を持ったならぜひ一読を。

CAS latency(CASレイテンシ、CL3-4-4-9の場合)

格子状に並ぶ記録部分にアクセスするために行と列を指定します。行アドレスを伝える信号をRAS、列アドレスを伝える信号をCASと言います。それに費やす時間がレイテンシ。

CL
CAS Latency
tRCD
RAS to Delay Time
tRP
RAS Precharge Time
tRC
RAS Cycle Time
3 4 4 9
CASを出力しデータを記録した場所に入出力できるようになるクロック数 RASを出力してからCASを出力するまでの遅延時間 1行分のデータを記録した場所かをメモリに書き戻すのに必要な時間 RASの出力から次のRASの出力までの間隔

CASレーテンシとは何ですか?(エルピーダメモリのFAQより)
CASレーテンシとはカラム(列)アドレスを与えてからデータが読み出せるようになるまでの時間がクロックいくつ分になるかを表したものです。CL=2なら2クロック後に、CL=3なら3クロック後にデータが出力されます


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