事業案内
商号： 集積回路技術工房／Integrated Circuit Technology Studio
代表 西 村 清
所在地： 〒614-8364 京都府八幡市男山松里9-7
TEL/FAX： 075-200-1215
創立年月日： 2001年4月1日
商標： ICTstudio
営業品目： １．教育コンサルタント業務（半導体集積回路設計技術指導）
２．IPプロバイダー業務（集積回路IPの開発、販売、並びに運用支援）
代表/経歴・実績：
経歴
工学博士。ローム株式会社にて1972年4月より2000年3月まで集積回路製品開発業務、
強誘電体メモリの研究業務、並びに海外開発拠点の技術者教育業務に従事。その間、
集積回路製品開発業務としてはオーディオ、VTR、モーター制御等の製品開発からASIC、
マイコンの基本システム立ち上げ応用までを手がける。
強誘電体メモリの研究業務としては強誘電体のヒステリシス特性モデル、並びに過渡応答
モデルを開発。
海外開発拠点の技術者教育業務としては集積回路設計関連７テーマそれぞれについて、
各約４名のリーダインストラクターを教育。展開として各テーマにて数十人参加規模の教育
セミナーを指導。
2001年4月集積回路技術工房を創業。2004年4月大阪工業大学大学院非常勤講師兼任。
発明実績
国内特許登録86件 USA Patent 25件
研究活動実績
電子情報通信学会採録論文5本、技術雑誌等への執筆、技術講演多数。
発明リスト
国内特許
| 特許登録番号 | 名称 | 発明者 | 登録日 |
|
1 1189098 2 1316090 3 1316091 4 1316092 5 1316093 6 1347179 7 1405150 8 1405151 9 1408170 10 1421944 11 1421955 12 1502242 13 1502246 14 1502247 15 1502257 16 1502258 17 1511181 18 1514732 19 1520864 20 152086 21 1530007 22 1538433 23 1538435 24 1538436 25 1586312 26 1605448 27 1607167 28 1617892 29 1624519 30 1631357 31 1636794 32 1645525 33 1650673 34 1650675 35 1684221 36 1767724 37 1794659 38 1810969 39 1826214 40 1834033 41 1836275 42 1836277 43 1850803 44 1865849 45 1882425 46 1896868 47 1947716 48 1947717 49 1955869 50 1956764 51 1993297 52 2061789 53 2076057 54 2103225 55 2108049 56 2702707 57 2824513 58 2918085 59 3026308 60 3494930 61 3518936 62 3518950 63 3518951 64 3518952 65 3570692 66 3585674 67 3599291 68 3613546 69 3635716 70 3642559 71 3644664 72 3662074 73 3698386 74 3703555 75 3710507 76 3751173 77 3758054 78 3767702 79 3767703 80 3767705 81 3770282 82 3919312 83 3933736 84 3966593 85 4255520 86 4371387 |
ﾎｰﾙIC ﾓｰﾀの駆動制御装置 ﾓｰﾀの駆動制御装置 ﾓｰﾀの速度制御装置 ﾓｰﾀの速度制御装置 ﾓｰﾀの正逆転駆動回路(分割出願) ﾎｰﾙIC 磁気ｶｯﾌﾟﾗ ﾎｰﾙ素用ｵﾌｾｯﾄ子電圧補正装置 ｻﾝﾌﾟﾙﾎｰﾙﾄﾞ装置 ｻﾝﾌﾟﾙﾎｰﾄﾞ回路ﾙ 周波数ｰ電圧変換装置 ﾓｰﾀの駆動信号発生装置 ﾓｰﾀの速度制御装置 ﾎｰﾙ素子 ﾎｰﾙ素子 呼出発生回路音 ﾁｬｲﾑ音発生回路 ｴｸｽｸﾙｰｼﾌﾞOR回路 単安定ﾏﾙﾁﾊﾞｲﾌﾞﾚｰﾀ ﾓｰﾀの駆動制御装置 ﾎｰﾙ素子 ﾎｰﾙ素子 ﾎｰﾙ素子 直流ﾓｰﾀの駆動回路 周波数ｰ電圧変換装置 ﾎｰﾙ素子 ﾊﾟﾙｽ発生回路 ﾎｰﾙ素子 ﾐｭｰﾃｨﾝｸﾞ信号発生回路 ｳｨｲﾝﾄﾞｺﾝﾊﾟﾚｰﾀ 移相装置 ﾀｲﾏ装置 容量性負荷駆動回路 半導体集積回路装置 ﾊﾟﾙｽ発生回路 VTRの再生ﾓｰﾄﾞ判別回路 ﾓｰﾀの駆動制御装置 半導体装置の製造方法 ﾏｲｸﾛｺﾝﾋﾟｰﾀ 半導体装置の製造方法 C-MOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ ﾏｲｸﾛﾌﾛﾟｾｯｻ路割付方法回 ﾏｲｸﾛｺﾝﾋﾟｰﾀ 分周期の同期回路 集積回路の３値入力回路 ﾌﾞﾗｼﾚｽﾓｰﾀ駆動方式 ﾌﾞﾗｼﾚｽﾓｰﾀ駆動方式 ﾎｰﾑｺﾝﾄﾛｰﾙｼｽﾃﾑ 半導体装置の保護回路 集積回路の出力回路 ﾏｲｸﾛｺﾝﾋﾟｰﾀ 周波数比較回路 ﾏｲｸﾛｺﾝﾋﾟｰﾀ 波形変換回路 1ﾁｯﾌﾟﾏｲｺﾝ用ﾀｰｹﾞｯﾄﾁｯﾌﾟの製造方法 ﾎｰﾑｺﾝﾄﾛｰﾙｼｽﾃﾎｰﾑｺﾝﾄﾛｰﾙｼｽﾃﾑﾑ ｱﾌﾟﾘｹｰｼｮﾝｿﾌﾄ開発支援装置及びそれに用いるｴﾊﾞﾘｭｴｰｼｮﾝ半導体ﾁｯﾌﾟ 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法 信号処理ｾﾙおよび信号処理装置 ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ可能な機能装置 機能複製装置および機能複製方法 機能複製装置および機能複製方法 機能複製装置および機能複製方法 不揮発性ﾒﾓﾘ 半導体記憶装置 不揮発性ﾒﾓﾘ ﾃﾞｰﾀ処理ｼｽﾃﾑ、ﾃﾞｰﾀ処理装置およびﾃﾞｰﾀ処理方法 不揮発性ﾒﾓﾘ 信号保持回路、半導体装置、ｹﾞｰﾄｱﾚｲおよびICｶｰﾄﾞ 強誘電体を用いた順序回路およびこれを用いた半導体装置 半導体記憶装置の試験方法 ﾃﾞｰﾀ記憶装置 携帯情報装置及びその充電装置 不揮発性ﾒﾓﾘ ﾃﾞｰﾀ保持装置 半導体記憶装置 強誘電体記憶装置および強誘電体ｺﾝﾃﾞﾝｻを用いた記憶方法 強誘電体記憶装置および強誘電体ｺﾝﾃﾞﾝｻを用いた記憶方法 強誘電体記憶装置 強誘電体記憶装置 強誘電体記憶装置 強誘電体回路ｺﾝﾃﾞﾝｻを備えた半導体装置 強誘電体回路シミュレーション装置 強誘電体記憶装置、記憶内容の読み出し方法、スタンバイ方法 制御駆動回路および制御駆動方法 |
西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村 西村 西村 西村 西村、その他 西村、その他 西村 西村、その他 西村 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村 西村 西村、その他 西村、その他 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村、その他 西村 西村 西村、その他 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村、その他 西村 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村、その他 西村 西村、その他 西村 西村、その他 西村 西村 西村、その他 西村 西村 西村、その他 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 西村 |
S59/02/13 S61/05/15 S61/05/15 S61/05/15 S61/05/15 S61/11/13 S62/10/09 S62/10/09 S62/10/27 S63/01/29 S63/01/29 H01/06/28 H01/06/28 H01/06/28 H01/06/28 H01/06/28 H01/08/09 H01/08/24 H01/09/29 H01/09/29 H01/11/15 H02/01/16 H02/01/16 H02/01/16 H02/10/31 H03/05/31 H03/06/13 H03/09/12 H03/11/18 H03/12/26 H04/01/31 H04/02/28 H04/03/30 H04/03/30 H04/07/31 H05/06/11 H05/10/14 H05/12/27 H06/02/28 H06/03/29 H06/04/11 H06/04/11 H06/06/21 H06/08/26 H06/11/10 H07/01/23 H07/07/10 H07/07/10 H07/07/28 H07/08/10 H07/11/22 H08/06/10 H08/07/25 H08/10/22 H08/11/06 H09/10/03 H10/09/11 H11/04/23 H12/01/28 H15/11/21 H16/02/06 H16/02/06 H16/02/06 H16/02/06 H16/07/02 H16/08/13 H16/09/24 H17/02/10 H17/01/14 H17/02/04 H17/02/10 H17/04/01 H17/07/15 H17/07/29 H17/08/19 H17/12/16 H18/01/13 H18/02/10 H18/02/10 H18/02/10 H18/02/17 H19/02/23 H19/03/30 H19/06/08 H21/02/06 H21/09/11 |
※ 出願人はローム株式会社。
United States Patent
| Patent Number | Title | Inventors | Date of Patent |
|
87 US5400435 88 US5541871 89 US5541873 90 US5592409 91 US5619714 92 US5633821 93 US5721159 94 US5764561 95 US5844831 96 US5896042 97 US5901077 98 US5928361 99 US5942877 100 US5953224 101 US5953245 102 US6016266 103 US6069816 104 US6124728 105 US6144578 106 US6145115 107 US6233169 108 US6246602 109 US6320337 110 US6327558 111 US6631479 |
High Speed Fuzzy Control Nonvolatile Ferroelectric Semiconductor Memory Nonvolatile Memory Nonvolatile Memory Microcomputer having Instruction Decoder with A Fixed Area and A Rewritable Area Nonvolatile Memory Device Method for Manufacturing and Tesing memory A Devices Ferroelectric Memory Devices and Method of Using Ferroelectric Capacitors Ferroelectric Memory Devices and Method of Using Ferroelectric Capacitors Semiconductor Memory Device Conparising Ferroelectric Capacitors Programmable Functional Device Having Ferroelectric Material Data Security Device and Method Thereof Portable Information Device and Charger Therefor Ferroelectric Memory Devices, A Method for Read out Stored Data andA Method for Standing-by Semiconductor Memory Device and Method of Controlling Imprint Condition Thereof Semiconductor Device with A Derroelectric Capacitor High-speed Responding Data Storing Device for Maintaining Stored Data without Power Supply Programmable Functional Device Having Ferroelectric Material Ferroelectric Memory Device and A method for Manufacturing Thereof Device for duplicating functions and a method for duplicating functions Signal Storing Circuit Semiconductor Device, Gate Array and IC-card Ferroelectric Storage Device Control Drive Circuit and Control Drive Method Apparatus for Simulating Electrical Characteristics of A Circuit Including A Ferroelectric Device and A Method for Simulating Electrical Characteristics of A Circuit Including A Ferroelectric Device Data Processing System, Data Processor and Data Processing Method |
Nishimura Nishimura, et al Nishimura, et al Nishimura, et al Nishimura Nishimura, et al Nishimura, et al Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura, et al Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura Nishimura |
1995.03.21 1996.07.30 1996.07.30 1997.01.07 1997.04.08 1997.05.27 1998.02.24 1998.06.09 1998.12.01 1999.05.04 1999.04.20 1999.07.27 1999.08.24 1999.08.31 1999.09.14 2000.01.18 2000.05.30 2000.09.26 2000.11.07 2000.11.07 2001.05.15 2001.06.12 2001.11.20 2001.12.04 2003.10.07 |
* Assignee:Rohm Co. Ltd., Kyoto, Japan
論文・講演・著作リスト
学会論文誌採録論文
(1) 西村清,他：”強誘電体ヒステリシス特性モデルの開発とその応用”電子情報通信学会論文誌C-U, VOL.J80-CII NO.7 '97.7. pp.229-235
K. Nishimura, et al: "A Ferroelectric Hysteresis Loop Model" Electronics and Communications in Japan Part2: Electronics (Scripita Techinica, Inc.) Vol.80 No.10 October 1997 pp.1-8
(2) 西村清,他：”強誘電体過渡応答特性モデルの開発とその応用”電子情報通信学会論文誌C-U, VOL.J81-CII NO.2 '98.2. pp.251-258
K. Nishimura, et al: "Ferroelectric Switching Transient Model" Electronics and Communications in Japan Part2: Electronics (Scripita Techinica, Inc.) Vol.81 No.7 July 1998 pp.1-9
(3) 西村清,他：”強誘電体メモリの読み出し応答解析”電子情報通信学会論文誌C-U, VOL.J81-CII NO.6 '98.6. pp.534-541
K. Nishimura, et al: "Ferroelectric Memory Transient Analysis on Read Mode" Electronics and Communications in Japan Part2: Electronics (Scripita Techinica, Inc.) Vol.82 No.2 February 1999 pp.39-477
(4) 西村清：”強誘電体コンデンサのインプリント特性モデルの開発とその不具合評価方法”電子情報通信学会論文誌C-U, VOL.J81-CII NO.8 '98.11. pp.857-864
K. Nishimura: "Ferroelectric Hysteresis Loop Model of Imprint Properties" Electronics and Communications in Japan Part2: Electronics (Scripita Techinica, Inc.) Vol.82 No.10 October 1999 pp.27-34
(5). K. Nishimura, "Polarization Fatigue Modeling of Ferroelectric Capacitors," IEICE, Trans., Electron., Vol.E85-C, No.6, Jun. 2002, pp.1334-1341
寄稿論文・講演論文・著作
(1) 西村清：”東洋電具製作所のみるセミカスタム／カスタムLSIの開発と設計例”，日本技術情報センター：各社にみるセミカスタム／カスタムLSIの新開発手法と設計例，1981.3.21, pp.1-11 / 1981.5.28, pp1-14
(2) 西村清：”急成長するゲートアレイ市場”，日刊工業新聞，1984.7.10,32面
(3) 西村清：”ASIC/USIC１チップマイコン「RAMICS」技術概説”，Computer Design,電波新聞社，October, 1987, pp.34-41
(4) 江田努，西村清：”ロームASICマイコンの開発手法”，電工技術報，Vol.36, No.5, pp.122-127 (昭63）
(5) 西村清：”小規模ワンチップマイコン設計のTATを短縮するS.RAMICS概説”，Computer Design,電波新聞社，May, 1989, pp.95-100
(6) 西村清，江田努：”周辺機能強化型のASマイコンとセルベースASICアプローチが台頭する”，Computer Design,電波新聞社，May, 1992
(7) 西村清：”強誘電体メモリ技術のポータブルシステムへのインパクト”，(社)日本工業技術振興協会 第28回強誘電体研究委員会「ポータブルシステム技術展望」平成7年次報告， V-28-121, pp.419-429, 1996.1.25
(8) 西村清：”強誘電体メモリ評価技術”，サイエンスフォーラム「'97強誘電体薄膜メモリ技術フォーラム」, 1997.1.23
(9) 西村清：”強誘電体メモリの理想デバイス化への回路技術アプローチ”，(社)日本工業技術振興協会 第34回強誘電体研究委員会「強誘電体薄膜メモリーとその材料の開発動向」平成8年次報告，Y-34-150, pp.279-288, 1997.1.24
(10) 西村清：”ICカード用LSIの技術展望”，Electronic Journal第12回Technical Symposium「ICカードと搭載LSI徹底検証」，講演予稿集, pp.137-146, 1998.11.10
(11) 西村清：”低電圧設計技術とそのメモリ”，サイエンスフォーラム，高須その他編集「FRAM ICカード技術」, pp59-75, 1999.4.30
(12) 西村清：”System LSI Design Methodology”，システムLSI技術学院 特別講義「設計手法について」第１回ローム, 1999.6.5
(13) 西村清：”将来のIPのあるべき姿”，システムLSI技術学院 特別講義「設計手法について」第5回パネル討論（IPとその利用技術と合同開催），1999.8.23
(15) 西村清：”強誘電体メモリ回路設計技術”，システムLSI技術学院 VLSI分野：先端VLSI設計講義「強誘電体技術とその応用」第2回, 1999.6.5
(16) 西村清：”強誘電体を利用した不揮発性メモリに関する研究”，大阪工業大学大学院, 2002.6.
(17) 西村清：”MOSアナログ集積回路設計技術教本”，集積回路技術工房, 2002.12.5
(18) 西村清：”MOSデジタル集積回路設計技術教本”，集積回路技術工房, 2002.12.5
(19) 西村清：”MOS集積回路素子設計技術教本”，集積回路技術工房, 2003.3.15
(20) 西村清：”Bipolar集積回路設計技術教本”，集積回路技術工房, 2003.12.5
(21) 西村清：”Bipolar集積回路素子設計技術教本”，集積回路技術工房, 2004.10.15
(22) 西村清：”MOS集積回路設計技術教本”，大阪工業大学大学院, 2005.2.55