制御用Trに SiC MOS FET を使用した
定電圧基板です。
パワーIVC と組み合わせた写真です。
バッテリードライブ パワーアンプを
パワーIVCとして改造し使用していたのですが
今回AC電源に変更しました。
アイドリング電流はチャンネル当り250mA程度に調整しています。
バッテリードライブではとても流せません
パワーIVC用に製作をした SiC MOS FET Reg です。
電源本体は以前 UHC-MOS FET パワーアンプで使用していた物を
流用しています。
2014年4月
チャンネルフィルターの回路をデュアルTr 2SA995 2SC2291
を使用したタイプに変更しました。
クロスオーバー周波数は 1200Hz 変更はありません。
シャ−シに組み込んだ状態です。
最初に製作をした電流伝送チャンネルフィルターと比較すると
入出力のオフセット電圧が調整出来、ドリフトが減少し
安定度が改善されました。
ただ音質的には初期のタイプの方が
良かった様な気が、、、
2SC1400 2SA726G との違いかな?
2016年11月
SCT2450を使用したPOWER IVC が2台完成したので併せて
SC1400 2SA726G を使用した初期タイプに戻しました。
パターン側です。